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AOTF2N60 2N60 AOS美国万代 600V 2A TO-220F 功率MOS管

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AOTF2N60 AOS美国万代 TO-220F 2017+ 全新原装现货

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AOTF2N60  MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

AOTF2N60规格书

AOTF2N60产品图片

AOTF2N60

产品概述

AOTF2N60

产品一般信息

数据列表 AOT(F)2N60(L);
TO220F Pkg Drawing;
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 325pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 31W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.4 欧姆 @ 1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3F
封装/外壳 TO-220-3 整包

 

本产品网址:http://www.ydsic.com/AOTF2N60/540138.html

 

联系方式:

公司:深圳市雅迪斯电子有限公司

地址:广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇

联系人:吴生/妙霞

电话:0755-23946783

手机:13760228090/13537618517

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