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AOD2N60 2N60 600V 2A TO-252 功率MOS管

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AOD2N60   MOSFET N-CH 600V 2A TO252

AOD2N60规格书

AOD2N60产品图片

AOD2N60

产品概述

AOD2N60

产品一般信息

 

数据列表 AO(D,U)2N60;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 325pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 56.8W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.4 欧姆 @ 1A,10V
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

 

本产品网址:http://www.ydsic.com/AOD2N60/539510.html

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