电话:0755-88600801 传真:0755-88600656 1 设为首页 2 3 加入收藏
你的位置:MOS管首页>>产品资讯>>IPW60R125CP 丝印6R125P 650V TO-247 功率MOS管

IPW60R125CP 丝印6R125P 650V TO-247 功率MOS管

IPW60R125CP型号 IPW60R125CP品牌 IPW60R125CP封装 IPW60R125CP批号 IPW60R125CP备注
IPW60R125CP INFINEON英飞凌 TO-247 2017+ 全新原装现货

IPW60R125CP  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247

IPW60R125CP  N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

IPW60R125CP规格书

IPW60R125CP产品图片

IPW60R125CP

产品概述

IPW60R125CP

产品一般说明

数据列表 IPW60R125CP;
标准包装 240
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 CoolMOS™


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 100V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 208W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 125 毫欧 @ 16A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3

 

本产品网址:http://www.ydsic.com/IPW60R125CP/541938.html

在线客服

点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
在线客服系统