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TK42A12N1

数据列表 TK42A12N1;
标准包装 50
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 U-MOSVIII-H


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 120V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.4 毫欧 @ 21A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片

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