电话:0755-88600801 传真:0755-88600656 1 设为首页 2 3 加入收藏
你的位置:MOS管首页>>优势库存>>FQD10N20L

FQD10N20L

数据列表 D-PAK Tape and Reel Data;
FQD10N20L;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 QFET®


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5V
Vgs(最大值) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),51W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 360 毫欧 @ 3.8A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

在线客服

点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
在线客服系统