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IPD70N10S3-12

数据列表 IPD70N10S3-12;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 OptiMOS™


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4355pF @ 25V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 11.1 毫欧 @ 70A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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