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SPW35N60C3

数据列表 SPW35N60C3;
标准包装 240
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 CoolMOS™


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 313W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 21.9A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3

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