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PHP18NQ10T

一般信息

数据列表 PHB,PHD,PHP18NQ10T
 
标准包装   50
包装   管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchMOS™
其它名称 568-5754 
568-5754-5 
568-5754-ND 
934055698127 
PHP18NQ10T 
PHP18NQ10T,127-ND 
PHP18NQ10T-ND 
PHP18NQ10T127 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 633pF @ 25V
功率 - 最大值 79W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB


 

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