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IRFP4310Z

 

数据列表 IRFP4310ZPBF;
标准包装 25
包装 散装 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 280W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 75A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
 

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