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IRFU1N60A

数据列表 IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_1N60A;
标准包装 75
包装 管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -
其它名称 *IRFU1N60A 


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 229pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 36W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7 欧姆 @ 840mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251AA
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

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