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IRF640NS

数据列表 IRF640N(S,L)PbF;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
 

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