电话:0755-88600801 传真:0755-88600656 1 设为首页 2 3 加入收藏
你的位置:MOS管首页>>IR优势库存>>IRFP4868PBF

IRFP4868PBF

数据列表 IRFP4868PBF;
标准包装 25
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10774pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 517W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 42A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
 

在线客服

点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
在线客服系统